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意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管
- 2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數 (FoM) 比上一代同類(lèi)產(chǎn)品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進(jìn)技術(shù)，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實(shí)現高效的開(kāi)關(guān)性能。因此，STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時(shí)），高效運行頻率達到6
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 STripFET F8 晶體管 優(yōu)值系數
意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節能降噪特性
- 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現卓越的品質(zhì)因數。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位
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